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与作为主基板材料的α-Co(OH)2相比，长图LDH的峰向更高角度发生了偏移，长图这归因于层板间阴离子的插入，增强了静电相互作用，层板之间的距离减小，有利于提高电荷传输效率。

图4CsPbBr3 QD基RRAM的电阻转变a）显示了CsPbBr3 QD基RRAM在初始阶段(左图)、告诉Ag+阳离子和VBr+空位迁移过程(中间图)以及最终形成VBr导电通道和Ag灯丝的电阻转换(右图)。钙钛矿QD层中的高效光学跃迁伴随着可调发射颜色，何降不仅允许通过单片集成在同一材料系统中实现LEM，而且还增强了LEM的功能以扩大其应用范围。

低感毒e）RRAM在设置(1.5V,3.8μs)和复位(−2.0V,3.8μs)过程中的瞬态响应。c）通过使用+2/−6V和0.25ms脉冲宽度的交替正向和反向偏压，染冠演示了在一个器件中LEC和RRAM模式之间的功能切换。状病还需要金属纳米颗粒的界面层来提高内存的开/关比率。

风险图2CsPbBr3 QD基LEC的电光特性a）离子迁移诱导电偶极子沿外加电场方向排列的示意图。文献链接：长图All-inorganicperovskitequantumdotlight-emittingmemories（Nat.Commun.，2021，DOI：10.1038/s41467-021-24762-w）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

插图:在设置(左下)和复位(右上)脉冲偏置后，告诉输入RRAM的脉冲(0.1V,3.8μs)的放大时间迹线。

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